Улучшенная схема защиты лазерного диода от перенапряжения

Полупроводниковые лазерные диоды чувствительны к крат­ковременным выбросам напряжения или токовым переходным процессам. Минимизировать риск повреждения позволяет стандартная схема защиты на полевом транзисторе (рис1).

Cхема защиты на полевом транзисторе

В открытом состоянии полевой транзистор PN4391 с n-каналом имеет ток насыщения стока 150мА при Vds= 20 В и напря­жении но затворе Vgs = 0. Закрывается транзистор при пода­че на его затвор напряжения Vgs = -12 В, при этом ток утечки стока составляет 1D(off) = 0,1 нА.

Такая схема защиты эффективна для мало­мощных лазерных диодов с рабочим током до 150 мА. Для более мощных лазерных диодов не­обходимо применять более высокомощные по­левые транзисторы или воспользоваться схемой (рис.2) Дж. Занниса (Франция) с дополнитель­ным биполярным транзистором, который шун­тирует большие негативные токи, когда поле­вой транзистор открыт.

Схема с дополнитель­ным биполярным транзистором

Сопротивление R2 обеспечивает стабиль­ность напряжения на затворе транзистора Q1, сопротивление R3 гарантирует быстрое вы­ключение транзистора Q2. Диод 1 N914 шун­тирует возможные положительные переход­ные процессы. Плавность включения и выклю­чения гарантирует RC схема.

Метки: , , .


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Проверочный код *

Разработка сайта: cryptonic